Memoria RAM Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D NB0X 16GB/ DDR5/ 5600MHz/ 1.1V/ CL46/ SODIMM

La Memoria RAM Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D NB0X ofrece 16GB de capacidad en formato SODIMM con tecnología DDR5, diseñada para equipos portátiles y sistemas compactos que requieren máximo rendimiento. Operando a 5600MHz, esta memoria proporciona un ancho de banda superior que permite manejar cargas de trabajo intensivas, desde edición multimedia hasta gaming en resoluciones elevadas.

• Tecnología DDR5 de última generación: frecuencia de 5600MHz que duplica el rendimiento frente a módulos DDR4, acelerando la transferencia de datos y reduciendo cuellos de botella en aplicaciones exigentes.
• Capacidad de 16GB: suficiente para multitarea avanzada, ejecución simultánea de aplicaciones profesionales, navegadores con múltiples pestañas y entornos de desarrollo integrados.
• Latencia CL46 optimizada: balance perfecto entre velocidad y estabilidad, garantizando tiempos de respuesta reducidos en operaciones de lectura y escritura.
• Eficiencia energética mejorada: voltaje de operación de 1.1V que disminuye el consumo eléctrico hasta un 20% respecto a generaciones anteriores, prolongando la autonomía de baterías en portátiles.
• Factor de forma SODIMM: compatible con portátiles gaming, ultrabooks, mini PCs y estaciones de trabajo móviles que utilizan ranuras de memoria compactas.
• Calidad Samsung: fabricada con chips originales del fabricante, garantizando control de calidad riguroso, disipación térmica eficiente y compatibilidad certificada con las principales plataformas Intel y AMD.

Este módulo resulta ideal para profesionales creativos que trabajan con edición de vídeo 4K, diseño gráfico vectorial o modelado 3D en Adobe Creative Suite, DaVinci Resolve o Blender. Los gamers encontrarán mejoras sustanciales en títulos AAA modernos que aprovechan grandes volúmenes de RAM, mientras que desarrolladores de software podrán compilar proyectos complejos y virtualizar entornos sin limitaciones de memoria. La tecnología DDR5 también beneficia tareas de inteligencia artificial local y análisis de datos masivos.

Compatible con procesadores Intel de 12ª generación en adelante y AMD Ryzen serie 7000, esta memoria garantiza estabilidad en overclocking y temperaturas controladas gracias a la arquitectura mejorada de gestión térmica. Si buscas actualizar tu portátil o mini PC con componentes de nueva generación que ofrezcan rendimiento sostenido y eficiencia comprobada, la Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D NB0X representa una inversión sólida para mantener tu sistema competitivo durante años.