Memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB/ DDR5/ 5600MHz/ 1.1V/ CL46/ SODIMM

La memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS de 8GB DDR5 representa la última generación en tecnología de memoria para portátiles y equipos compactos. Diseñada en formato SODIMM, esta módulo opera a una velocidad de 5600MHz, ofreciendo un ancho de banda superior para aplicaciones exigentes que requieren procesamiento rápido de datos. Con un voltaje de operación de apenas 1.1V, proporciona mayor eficiencia energética comparada con generaciones anteriores, prolongando la autonomía de la batería en dispositivos portátiles.

Características técnicas destacadas:

• Capacidad: 8GB en módulo único, ideal para multitarea básica y aplicaciones profesionales
• Tecnología DDR5: estándar de quinta generación con arquitectura mejorada y mayor ancho de banda
• Frecuencia de trabajo: 5600MHz nativos, sin necesidad de overclocking manual
• Latencia CL46: tiempos de respuesta optimizados para procesadores modernos
• Voltaje eficiente: 1.1V reduce el consumo energético hasta un 20% respecto a DDR4
• Factor de forma SODIMM: compatible con portátiles, mini PCs y sistemas All-in-One
• Fabricación Samsung: chips de memoria de producción propia con control de calidad riguroso

Este módulo resulta especialmente indicado para actualizar portátiles gaming de entrada, estaciones de trabajo móviles que ejecutan software de diseño gráfico, edición de vídeo en resoluciones Full HD, y navegación intensiva con múltiples pestañas abiertas simultáneamente. La tecnología DDR5 elimina cuellos de botella en sistemas equipados con procesadores Intel Core de 12ª generación en adelante o AMD Ryzen 7000 Series, permitiendo aprovechar al máximo el rendimiento del procesador. También es una opción válida para mini PCs compactos destinados a entornos ofimáticos donde se requiere respuesta ágil en aplicaciones de productividad como hojas de cálculo complejas o bases de datos locales.

La arquitectura DDR5 incorpora mejoras estructurales como el control de voltaje integrado en el módulo (PMIC) y corrección de errores on-die (ECC), características que aumentan la estabilidad del sistema incluso bajo cargas prolongadas. Si buscas renovar tu equipo portátil con memoria de última generación que combine velocidad, eficiencia energética y fiabilidad, esta memoria Samsung ofrece un equilibrio técnico respaldado por uno de los principales fabricantes de semiconductores a nivel mundial.